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2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介

 更新時(shí)間:2022-06-07 點(diǎn)擊量:1713


2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介

2D 激子絕緣體

激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時(shí),激子會凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生,而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)(電子)和價(jià)(空穴)帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)


Ta2NiS5 晶體

貨號: BLK-Ta2NiS5

分子式: Ta2NiS5



Ta2NiS5 晶體

Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導(dǎo)體 (Eg~0.39 eV),具有可疑的激子絕緣體行為,如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時(shí),激子會凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生,而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)(電子)和價(jià)(空穴)帶之間的庫侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)

Ta2NiS5 晶體的性質(zhì)

 

Ta2NiS5晶體的原子結(jié)構(gòu)

 

Ta2NiS5 晶體的拉曼光譜






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